Relationship of QTAIM and NOCV Descriptors with Tolman’s Electronic Parameter

نویسندگان
چکیده

برای دانلود باید عضویت طلایی داشته باشید

برای دانلود متن کامل این مقاله و بیش از 32 میلیون مقاله دیگر ابتدا ثبت نام کنید

اگر عضو سایت هستید لطفا وارد حساب کاربری خود شوید

منابع مشابه

validation of a revised logical-mathematical intelligence scale and exploring its relationship with english language proficiency

نظریه هوش چندگانه قسمتهای متفاوت هوش بشری را مورد بررسی قرار می دهد که با شناخت آن شخص به درک بهتری از توانایی های خود میرسد و در نتیجه سعی در استفاده از آن جهت یادگیری بهتر میکند. همچنین با شناخت استعداد دانش آموزان، فرایند یادگیری بهتر میشود. هدف از انجام دادن این تحقیق بررسی رابطه بین هوش ریاضی و استعداد یادگیری زبان انگلیسی میباشد. برای انجام این تحقیق از پرسشنامه هوش ریاضی که توسط شیرر در ...

the relationship of wtc with communication apprehension and self-perceived communication competene in english and persian context

بیشتر تحقیقات پیشین در زمینه تمایل به برقراری ارتباط به رابطه آن با عوامل فردی چون سن، جنس، نوع شخصیت و... صورت گرفته است. در صورتی که مطالعات کمتری به بررسی رابطه تمایل به برقراری ارتباط زبان آموزان فارسی زبان با ترس از برقراری ارتباط و توانش خود ادراکانه آنها در برقراری ارتباط در محیط فارسی و انگلیسی انجام شده است. بر اساس نظریه الیس (2008) تمایل به برقراری ارتباط جایگاه مهمی در زمینه آموزش م...

15 صفحه اول

a contrastive analysis of concord and head parameter in english and azerbaijani

این پایان نامه به بررسی و مقایسه دو موضوع مطابقه میان فعل و فاعل (از نظر شخص و مشار) و هسته عبارت در دو زبان انگلیسی و آذربایجانی می پردازد. اول رابطه دستوری مطابقه مورد بررسی قرار می گیرد. مطابقه به این معناست که فعل مفرد به همراه فاعل مفرد و فعل جمع به همراه فاعل جمع می آید. در انگلیسی تمام افعال، بجز فعل بودن (to be) از نظر شمار با فاعلشان فقط در سوم شخص مفرد و در زمان حال مطابقت نشان میدهند...

15 صفحه اول

investigation of the electronic properties of carbon and iii-v nanotubes

boron nitride semiconducting zigzag swcnt, $b_{cb}$$n_{cn}$$c_{1-cb-cn}$, as a potential candidate for making nanoelectronic devices was examined. in contrast to the previous dft calculations, wherein just one boron and nitrogen doping configuration have been considered, here for the average over all possible configurations, density of states (dos) was calculated in terms of boron and nitrogen ...

15 صفحه اول

ذخیره در منابع من


  با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید

ژورنال

عنوان ژورنال: Advances in Chemistry

سال: 2016

ISSN: 2356-6612,2314-7571

DOI: 10.1155/2016/4109758